《半導(dǎo)體信息雜志》
部級(jí)期刊半導(dǎo)體信息雜志簡介
- 主管單位：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所
- 出版周期：雙月刊
- 出版語言：中文
- 主辦單位：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
- 類別：電子
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1990
- 出版地區(qū)：江蘇
- 曾用名：半導(dǎo)體信息報(bào)
- 郵編：210016
《半導(dǎo)體信息》是一本由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的電子學(xué)術(shù)刊物，該雜志為雙月刊，面向國、內(nèi)外公開發(fā)行。主要報(bào)道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐，該雜志的創(chuàng)辦有利于國內(nèi)外同行探討有創(chuàng)新的學(xué)術(shù)觀點(diǎn)，加強(qiáng)國內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊將及時(shí)推出該領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果，使國內(nèi)外同行能及時(shí)、方便地查閱、引用，為電子研究事業(yè)的發(fā)展作貢獻(xiàn)。
《半導(dǎo)體信息》雜志一級(jí)發(fā)文領(lǐng)域主要有：經(jīng)濟(jì)管理、電子電信、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù)、電氣工程、一般工業(yè)技術(shù)、機(jī)械工程、交通運(yùn)輸工程、理學(xué)、文化科學(xué)、化學(xué)工程。二級(jí)發(fā)文領(lǐng)域主要有：經(jīng)濟(jì)管理 / 產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)、電子電信 / 物理電子學(xué)、電子電信 / 微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子電信 / 電路與系統(tǒng)、電子電信 / 信息與通信工程、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù) / 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子電信 / 通信與信息系統(tǒng)、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù) / 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電氣工程 / 電器、電氣工程 / 電力電子與電力傳動(dòng)。該雜志與時(shí)俱進(jìn)，開拓進(jìn)取，保持優(yōu)勢，敢于爭先，開設(shè)了企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動(dòng)態(tài)等欄目，反映電子領(lǐng)域科研成果和電子實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，為電子工作者和研究人員提供業(yè)務(wù)交流和學(xué)術(shù)成果的發(fā)布平臺(tái)。
學(xué)術(shù)熱點(diǎn)分析
影響因子和被引次數(shù)
期刊他引率和平均引文率
影響因子：指某一期刊的文章在特定年份或時(shí)期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)。影響因子越高，代表著期刊的影響力越大。
被引次數(shù)：指某篇論文在一定時(shí)間內(nèi)被引用的次數(shù)。被引用次數(shù)越多，說明這篇論文影響力越大，論文的分量越高。
期刊他引率：指此期刊全部被引用次數(shù)中，被其他刊引用次數(shù)所占的比例。具體算法是：他引率= (被其他刊引用的次數(shù)) / (期刊被引用的總次數(shù))。
平均引文率：指在某一期刊上發(fā)表的論文被引用的平均次數(shù)。它是研究、學(xué)術(shù)績效和研究出版物發(fā)表質(zhì)量的重要指標(biāo)。
主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析
| 序號(hào) | 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 |
| 1 | 信息產(chǎn)業(yè)部 | 1 |
相關(guān)發(fā)文主題分析
| 序號(hào) | 相關(guān)發(fā)文主題 |
| 1 | 用戶數(shù)；知識(shí)產(chǎn)權(quán)；司長；通信；通信產(chǎn)業(yè) |
半導(dǎo)體信息期刊文獻(xiàn)
- 國家意志助推“國芯”起飛 工信部力推補(bǔ)短板工程
- 美國研究人員采用調(diào)制摻雜技術(shù)顯著提高氧化鎵中的電子遷移率，氧化鎵有望應(yīng)用于高頻通信系統(tǒng)和高能效電力電子等領(lǐng)域
- 美國美高森美公司推出軍事宇航電極控制用SiC MOSFET功率模塊，具有超低電感、大電流和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)
- 美國Integra Technologies公司推出S波段雷達(dá)應(yīng)用的GaN-on-SiC射頻和微波晶體管
- 美國Triad射頻系統(tǒng)公司推出8W氮化鎵射頻和微波雙向放大器（BDA）
- 歐洲電源轉(zhuǎn)換和智能運(yùn)動(dòng)大會(huì)上的多款氮化鎵功率產(chǎn)品
- 比利時(shí)EpiGaN公司參與歐盟新啟動(dòng)的“硅基高效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺(tái)”項(xiàng)目，提供的核心GaN／Si射頻材料技術(shù)
- 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和開放式體系架構(gòu)設(shè)計(jì)成為降低其尺寸、重量和功耗和提高效率的重要手段
